采购热线 400-661-9010
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMUDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：38722，"14+"：70000，"15+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB790SN，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1848
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMKDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：38722，"14+"：70000，"15+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB790SN，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1848
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMKDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMKDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM7585 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM7585 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMUDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM7585 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMKDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N357R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM7585 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMUDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM7585 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMKDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@650mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS670T116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：47pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：680mΩ@650mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N357R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K357R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMUDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB790SN，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K357R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
