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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：230，"22+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8697R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：11.6mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：6000，"16+"：40012}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8651R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8697R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：11.6mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4421DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：800mV@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：8.75mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4421DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：800mV@850µA
栅极电荷：125nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：8.75mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8697R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：11.6mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：6000，"16+"：40012}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8651R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4421DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：800mV@850µA
栅极电荷：125nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：8.75mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8697R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：11.6mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4421DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：800mV@850µA
栅极电荷：125nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：8.75mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4421DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：800mV@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：8.75mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4421DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：800mV@850µA
栅极电荷：125nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：8.75mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4421DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：800mV@850µA
栅极电荷：125nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：8.75mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8697R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：11.6mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
