品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS214NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@3.7μA
栅极电荷:800pC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ123N08NS3GATMA1
导通电阻:12.3mΩ@10V,20A
阈值电压:3.5V@33μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
功率:2.1W
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
阈值电压:4.5V@900μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:178W
栅极电荷:79nC@10V
输入电容:3.194nF@400V
漏源电压:650V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:38A
ECCN:EAR99
导通电阻:55mΩ@18A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
阈值电压:4.5V@900μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:178W
栅极电荷:79nC@10V
输入电容:3.194nF@400V
漏源电压:650V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:38A
ECCN:EAR99
导通电阻:55mΩ@18A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
漏源电压:60V
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:900pC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:32pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1057}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLK70R900P7ATMA1
漏源电压:700V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
漏源电压:60V
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:900pC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:32pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:750mV@11μA
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
类型:1个N沟道
栅极电荷:1.7nC@2.5V
功率:500mW
连续漏极电流:2.3A
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
输入电容:529pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR202NL6327HTSA1
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@3.8A,4.5V
连续漏极电流:3.8A
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
阈值电压:1.2V@30μA
输入电容:1.147nF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR202NL6327HTSA1
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@3.8A,4.5V
连续漏极电流:3.8A
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
阈值电压:1.2V@30μA
输入电容:1.147nF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":314164,"24+":11866}
规格型号(MPN):BSZ123N08NS3GATMA1
导通电阻:12.3mΩ@10V,20A
阈值电压:3.5V@33μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
功率:2.1W
漏源电压:80V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
类型:1个N沟道
漏源电压:25V
功率:37W€2.1W
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:2V@250μA
连续漏极电流:40A€16A
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB45N06S4L08ATMA3
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
栅极电荷:64nC@10V
导通电阻:7.9mΩ@45A,10V
连续漏极电流:45A
漏源电压:60V
功率:71W
阈值电压:2.2V@35μA
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:4.78nF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":62500,"MI+":5000}
规格型号(MPN):IPD025N06NATMA1
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.8V@95μA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
功率:3W€167W
输入电容:5.2nF@30V
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
类型:1个N沟道
漏源电压:25V
功率:37W€2.1W
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:2V@250μA
连续漏极电流:40A€16A
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS214NH6327XTSA1
栅极电荷:800pC@5V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
输入电容:143pF@10V
导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1.2V@3.7μA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR202NL6327HTSA1
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@3.8A,4.5V
连续漏极电流:3.8A
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
阈值电压:1.2V@30μA
输入电容:1.147nF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":196520}
规格型号(MPN):BSZ0901NSIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:2.1W€69W
类型:1个N沟道
输入电容:2.6nF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:25A€40A
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD031N06L3GATMA1
阈值电压:2.2V@93μA
包装方式:卷带(TR)
功率:167W
类型:1个N沟道
输入电容:13nF@30V
漏源电压:60V
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
连续漏极电流:100A
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:79nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
漏源电压:60V
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:900pC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:32pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRFS3004TRL7PP
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
阈值电压:4V@250μA
功率:380W
输入电容:9.13nF@25V
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:240nC@10V
连续漏极电流:240A
ECCN:EAR99
导通电阻:1.25mΩ@195A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0901NSIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:2.1W€69W
类型:1个N沟道
输入电容:2.6nF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.2V@250μA
连续漏极电流:25A€40A
栅极电荷:41nC@10V
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0901NSIATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:25A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:7W
阈值电压:4.5V@140μA
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:534pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@2.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.513nF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2750}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR202NL6327HTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@30μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.147nF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ123N08NS3GATMA1
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@33μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.3mΩ@10V,20A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ042N06NSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.8V@36μA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2nF@30V
连续漏极电流:40A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11μA
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: