采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG020N090SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€477W
阈值电压：4.3V@20mA
栅极电荷：200nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4415pF@450V
连续漏极电流：9.8A€112A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，15V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0065090J-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：3.5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@600V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@20A，15V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF20STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB16N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：29.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1027pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@7.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB90R340C3ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@9.2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0065090J-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：3.5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@600V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@20A，15V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK90ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90R1K2C3ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@310µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.8A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK90ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8N90CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@25V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.15A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB21N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1645pF@100V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@9A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：173pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90R1K2C3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@310µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.8A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF20STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG020N090SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€477W
阈值电压：4.3V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4415pF@450V
连续漏极电流：9.8A€112A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，15V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：173pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB90R340C3ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@9.2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90R1K2C3ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@310µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.8A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK90ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：22.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB90R340C3ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@9.2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG020N090SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€477W
阈值电压：4.3V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4415pF@450V
连续漏极电流：9.8A€112A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，15V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N90TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€158W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2.7A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF20STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N90TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€158W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2.7A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG060N090SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€211W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@450V
连续漏极电流：5.8A€44A
类型：N沟道
导通电阻：84mΩ@20A，15V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB90R340C3ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@9.2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N90TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：7.2Ω@850mA，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N90TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：7.2Ω@850mA，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
