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    行业应用: 工业
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    阈值电压: 1.5V@250µA
    当前匹配商品:1400+
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    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138W-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20000
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20000
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2300DS-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2300DS-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LFG-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LFG-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:9.47nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.44A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UVT-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UVT-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2028UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:856pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKHH 起订25个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKHH 起订25个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKHH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW€2.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@30V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3Ω@380mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F34FHTA 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F34FHTA 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:277pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    加购:25
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138K-13 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138K-13 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138K-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHQTA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHQTA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDV305N 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV305N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@10V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138Q-7-F 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138Q-7-F 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138Q-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5125pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:1nC@4.5V

    漏源电压:50V

    类型:N沟道

    输入电容:50pF@25V

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:350mA

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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