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    连续漏极电流
    35A
    漏源电压
    行业应用: 工业
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: 1个P沟道
    连续漏极电流: 35A
    当前匹配商品:6
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2243

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.345nF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6023SK3Q-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6023SK3Q-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6023SK3Q-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:53.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.569nF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2243

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.345nF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订1200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订1200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250μA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.345nF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6023SK3Q-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6023SK3Q-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6023SK3Q-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:53.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.569nF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    输入电容:4.37nF@20V

    导通电阻:11.7mΩ@10V,15A

    阈值电压:2.3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:35A

    功率:3.7W€52W

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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