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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.76nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.76nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.76nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2232
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J338R，LF
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.4nF@6V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：17.6mΩ@8V，6A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.76nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2232
规格型号(MPN)：SSM3J338R，LF
输入电容：1.4nF@6V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：17.6mΩ@8V，6A
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：12V
功率：1W
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.76nF@10V
栅极电荷：156nC@10V
阈值电压：3V@1mA
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：60A
功率：100W
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.76nF@10V
栅极电荷：156nC@10V
阈值电压：3V@1mA
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：60A
功率：100W
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35CTC，L3F
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
阈值电压：1V@100μA
功率：500mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
漏源电压：20V
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
