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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8851EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@10V
连续漏极电流：7.7A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301A
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：5A€6A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.1A€5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1427EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：21nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3473DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：17.8mΩ@8.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104V-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UFY4Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D9UFZ-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.5pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P04-08-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€100W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSFW02009
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：58pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：P沟道
导通电阻：640mΩ@550mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4403DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@10V
连续漏极电流：15.4A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS407ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5875pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3433CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€3.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4005EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@6V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D4UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.7pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UTSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：7.4A€18A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA905P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3405pF@6V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@10A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@500mA，1.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3473CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@8.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
