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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25304W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：4.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25404Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€96W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2120pF@10V
连续漏极电流：104A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25304W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：4.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：15A€76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMG85XPH
工作温度：-55℃~150℃
功率：375mW€2.4W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25304W1015T
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：15A€76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMG85XPH
工作温度：-55℃~150℃
功率：375mW€2.4W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：15A€76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25304W1015T
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMG85XPH
工作温度：-55℃~150℃
功率：375mW€2.4W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25404Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€96W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2120pF@10V
连续漏极电流：104A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25304W1015T
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：4.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25304W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25404Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€96W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2120pF@10V
连续漏极电流：104A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF170XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW€1.67W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25402Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€69W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@10V
连续漏极电流：15A€76A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
