采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2411
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2411
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2411
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2411
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2411
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2411
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
栅极电荷：30nC@4.5V
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
功率：3.6W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2411
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
栅极电荷：30nC@4.5V
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
功率：3.6W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
