品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP26M7UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:156nC@10V
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输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
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漏源电压:60V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP26M7UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
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连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP26M7UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
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连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
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类型:P沟道
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
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ECCN:EAR99
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类型:P沟道
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:100W
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP26M7UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP26M7UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP26M7UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
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连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP26M7UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
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连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:156nC@10V
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输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP26M7UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1V@250µA
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连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
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连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
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输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:156nC@10V
阈值电压:3V@1mA
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
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工作温度:175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
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ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP26M7UFG-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:156nC@10V
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类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
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连续漏极电流:18A€40A
漏源电压:20V
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ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP26M7UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP26M7UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
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连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP26M7UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
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连续漏极电流:18A€40A
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP26M7UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: