采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4006SPSWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6855pF@20V
连续漏极电流：115A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4006SPSWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6855pF@20V
连续漏极电流：115A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4006SPSWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6855pF@20V
连续漏极电流：115A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
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功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
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功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
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输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMP4006SPSWQ-13
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阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6855pF@20V
连续漏极电流：115A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：DMP4006SPSWQ-13
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功率：3.4W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6855pF@20V
连续漏极电流：115A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：115A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
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功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
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输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4006SPSWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6855pF@20V
连续漏极电流：115A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4006SPSWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6855pF@20V
连续漏极电流：115A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4006SPSWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6855pF@20V
连续漏极电流：115A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4006SPSWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6855pF@20V
连续漏极电流：115A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
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功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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