采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV302P
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV302P
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDV302P
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDV302P
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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