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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2000，"14+"：6000，"17+"：117000，"20+"：10242}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01M-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01M-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：165000，"12+"：1000，"16+"：9000，"18+"：28421，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01C-TB-E
工作温度：150℃
功率：250mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1414718，"14+"：6000，"18+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01M-TL-H
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J15F，LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.7V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：21993}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01C-TB-H
工作温度：150℃
功率：250mW
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栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J15F，LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.7V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01M-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01M-TL-H
工作温度：150℃
功率：150mW
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J15FS，LF
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.7V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J15FS，LF
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.7V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J15FS，LF
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.7V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01S-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J15F，LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.7V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01SS-TL-EX
工作温度：150℃
功率：150mW
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连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：21993}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01C-TB-H
工作温度：150℃
功率：250mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J15F，LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.7V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：108000，"17+"：99000，"18+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01S-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：126754，"15+"：24000，"17+"：64000，"18+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01SS-TL-H
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：165000，"12+"：1000，"16+"：9000，"18+"：28421，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01C-TB-E
工作温度：150℃
功率：250mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01SS-TL-EX
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J15F，LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.7V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：126754，"15+"：24000，"17+"：64000，"18+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01SS-TL-H
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J15F，LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.7V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J15FS，LF
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.7V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J15F，LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.7V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：108000，"17+"：99000，"18+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01S-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J15F，LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.7V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J15FS，LF
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.7V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.1pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2000，"14+"：6000，"17+"：117000，"20+"：10242}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01M-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
