品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@4V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@4V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN52XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@4V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@4V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@4V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@4V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF5P03T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@5.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF5P03T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@5.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF5P03T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@5.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN52XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF5P03T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@5.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN52XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP650P06NMXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€4.2W
阈值电压:4V@1.037mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF5P03T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@5.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: