采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4C050APTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4C100BCTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：23.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15.6mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA905P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3405pF@6V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@10A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA403EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA403EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8308-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@6V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA403EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15P6F6AG
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@48V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10P3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L01BATTL1
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD22202W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：8.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@4V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.2mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2022LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2444pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：87000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA905P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3405pF@6V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@10A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF6P02T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4485
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF6P02T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4C050APTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J507NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH100P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2022LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：56.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2444pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E100ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J501NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7416TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L01BATTL1
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J501NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J501NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：29.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF6P02T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
