采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3401LSNQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3401LSNQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：545000，"16+"：30000，"17+"：100000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1337-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：172pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3401LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3401LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3401LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：1489，"16+"：75000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1337-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：172pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3401LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1337-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：172pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
