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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：182nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：182nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOD21357
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功率：78W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：TPH1R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：182nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：182nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：78W
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栅极电荷：182nC@5V
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输入电容：10900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，4.5V
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功率：78W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@5V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，4.5V
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规格型号(MPN)：TPH1R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R712MD，L1Q
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10900pF@10V
工作温度：150℃
功率：78W
类型：P沟道
连续漏极电流：60A
阈值电压：1.2V@1mA
漏源电压：20V
栅极电荷：182nC@5V
导通电阻：1.7mΩ@30A，4.5V
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOD21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
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输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：182nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：AOS
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
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栅极电荷：70nC@10V
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输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10900pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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