品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN014-40HLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7234DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@6V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.4mΩ@20A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7234DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@6V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.4mΩ@20A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7234DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@6V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.4mΩ@20A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7234DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@6V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.4mΩ@20A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7234DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@6V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.4mΩ@20A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7234DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@6V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.4mΩ@20A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: