采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8MC5TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V€850pF@30V
连续漏极电流：3A€3.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：05+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5513DC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.1A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：75mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8MC5TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V€850pF@30V
连续漏极电流：3A€3.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8MC5TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V€850pF@30V
连续漏极电流：3A€3.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8MC5TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V€850pF@30V
连续漏极电流：3A€3.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8M31TR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V€750pF@10V
连续漏极电流：3A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：05+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5513DC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.1A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：75mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8M31TR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V€750pF@10V
连续漏极电流：3A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8M31TR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V€750pF@10V
连续漏极电流：3A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8M31TR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V€750pF@10V
连续漏极电流：3A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8MC5TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V€850pF@30V
连续漏极电流：3A€3.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：05+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5513DC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.1A€2.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：75mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8MC5TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V€850pF@30V
连续漏极电流：3A€3.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8M31TR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V€750pF@10V
连续漏极电流：3A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
