采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：216732，"15+"：481087，"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8315-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6342-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：73mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8315-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2990}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6321-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：83mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8315-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8310-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP225，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：225mA
类型：P沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：3000，"18+"：11996}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6336-TL-E
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP220，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：225mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP220，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：225mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6342-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：73mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：15000，"19+"：19400，"22+"：176，"MI+"：2422}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP220，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：225mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP230，135
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.55V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：P沟道
导通电阻：17Ω@170mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：30000，"21+"：6000，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8309-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@6V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP220，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：225mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：610591，"15+"：3000，"18+"：27000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6337-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：49mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8315-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8315-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP220，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：225mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1192，"13+"：3000，"14+"：10166，"17+"：370，"9999"：1188}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6337-TL-E
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：49mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP225，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：225mA
类型：P沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP225，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@25V
连续漏极电流：225mA
类型：P沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
