品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P35AFE,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P15FE(TE85L,F)
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.7V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.1pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:12Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UM6J1NTN
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Comchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CJ3139KDW-G
工作温度:-40℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@16V
连续漏极电流:660mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:520mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P35AFE,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P15FE(TE85L,F)
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.7V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.1pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:12Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P35AFE,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Comchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CJ3139KDW-G
工作温度:-40℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@16V
连续漏极电流:660mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:520mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6J1T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UM6J1NTN
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Comchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CJ3139KDW-G
工作温度:-40℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@16V
连续漏极电流:660mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:520mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6J1T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6J1T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UM6J1NTN
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P35AFE,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UM6J1NTN
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P35AFE,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P15FE(TE85L,F)
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.7V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.1pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:12Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6J1T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Comchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CJ3139KDW-G
工作温度:-40℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@16V
连续漏极电流:660mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:520mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Comchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CJ3139KDW-G
工作温度:-40℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@16V
连续漏极电流:660mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:520mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P15FE(TE85L,F)
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.7V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.1pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:12Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Comchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CJ3139KDW-G
工作温度:-40℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@16V
连续漏极电流:660mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:520mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6J1T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6J1T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6J1T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P35AFE,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P15FE(TE85L,F)
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.7V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.1pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:12Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6J1T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UM6J1NTN
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: