采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD600N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4.5V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L08AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：2.2V@22µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：2.2V@22µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86184
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@110µA
栅极电荷：20nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：861，"22+"：2853，"23+"：4876，"MI+"：2600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86184
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD600N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4.5V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：2.2V@22µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1850，"22+"：3280，"23+"：75809，"24+"：12479}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S409AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@22µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD600N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4.5V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03ECP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：70128，"24+"：13849，"MI+"：10955}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：2.2V@22µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S409ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@22µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S409ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@22µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：2.2V@22µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：2.2V@22µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S409AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@22µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：2.2V@22µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：2.2V@22µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：2.2V@22µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S409AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@22µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7230
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S409AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@22µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：2.2V@22µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
