采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB150N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@540µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1999pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK075N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2954pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：154}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB150N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@540µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1985pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R165CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R165CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK075N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2954pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R165CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50R140CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@930µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB130N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：101.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6124.6pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB130N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：101.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6124.6pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB130N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：101.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6124.6pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50R140CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@930µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：241}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R165CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R165CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R165CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB150N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@540µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1999pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB150N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@540µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1999pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R165CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R165CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50R140CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@930µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB150N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@540µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1999pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R165CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB150N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@540µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1999pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK075N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2954pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK075N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2954pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB150N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@540µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1985pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK075N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2954pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
