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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF20STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF20STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF20STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€54W
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输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：141000，"23+"：47500，"MI+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
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栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
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栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：141000，"23+"：47500，"MI+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
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阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
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输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF20STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF20STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
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连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
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输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
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输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
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连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
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导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：141000，"23+"：47500，"MI+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：141000，"23+"：47500，"MI+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF20STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF20STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
