销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3T40P
工作温度:-50℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:139pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3T40P
工作温度:-50℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:139pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E350BNTB
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7900pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3T40P
工作温度:-50℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:139pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E350BNTB
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7900pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E350BNTB
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7900pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3T40P
工作温度:-50℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:139pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU60N02-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:65nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E350BNTB
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7900pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU60N02-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:65nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU60N02-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:65nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3T40P
工作温度:-50℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:139pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU60N02-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:65nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E350BNTB
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7900pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3T40P
工作温度:-50℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:139pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E350BNTB
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7900pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":58,"21+":2750,"23+":99000}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR120ZTRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:4V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3T40P
工作温度:-50℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:139pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E350BNTB
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7900pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3T40P
工作温度:-50℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:139pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":58,"21+":2750,"23+":99000}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR120ZTRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:4V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E350BNTB
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7900pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E350BNTB
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7900pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: