采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：72mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：110mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：72mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：72mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：110mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5335K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：85mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：110mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5335K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：85mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5335K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：85mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN5335K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：110mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：110mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：72mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
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功率：360mW
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输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：72mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
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功率：360mW
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输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：72mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
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功率：360mW
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输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：72mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN5335K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：110mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：72mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN5335K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：110mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5335K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：85mA
类型：P沟道
导通电阻：30Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：72mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：72mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：110mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：110mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：72mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5335K1-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：350V
输入电容：110pF@25V
类型：P沟道
连续漏极电流：85mA
ECCN：EAR99
导通电阻：30Ω@200mA，10V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
连续漏极电流：72mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：120pF@25V
功率：360mW
导通电阻：35Ω@150mA，0V
类型：N沟道
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335K1-G
输入电容：110pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
连续漏极电流：110mA
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
连续漏极电流：72mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：120pF@25V
功率：360mW
导通电阻：35Ω@150mA，0V
类型：N沟道
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
连续漏极电流：72mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：120pF@25V
功率：360mW
导通电阻：35Ω@150mA，0V
类型：N沟道
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5335K1-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：350V
输入电容：110pF@25V
类型：P沟道
连续漏极电流：85mA
ECCN：EAR99
导通电阻：30Ω@200mA，10V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
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