品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC6070LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:731pF@20V€618pF@20V
连续漏极电流:3.1A€2.4A
导通电阻:100mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1181pF@20V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1181pF@20V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4047SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1328pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFS2P753Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5614P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:759pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.09nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1047.98pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5661N-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5614P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:759pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2226
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4013SPSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4004pF@20V
连续漏极电流:11A€61A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5614P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:759pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4047SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1328pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4141-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2005pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC6070LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:731pF@20V€618pF@20V
连续漏极电流:3.1A€2.4A
导通电阻:100mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6185SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:708pF@30V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3026LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V€1241pF@15V
连续漏极电流:8.2A€8A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC610PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1005pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC610PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1005pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4047SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1328pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5661N-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6185SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:708pF@30V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4874BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4406DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: