品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
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栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
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栅极电荷:12nC@10V
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输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
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漏源电压:60V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
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输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
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输入电容:350pF@30V
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类型:P沟道
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漏源电压:60V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
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类型:P沟道
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
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导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
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连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
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输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
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连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
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连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
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连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
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输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:150pF@25V
类型:N沟道
功率:3.3W
栅极电荷:0.9nC@10V
连续漏极电流:1A
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.9A
漏源电压:60V
功率:3.3W
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
输入电容:350pF@30V
类型:P沟道
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: