采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E050ATTCL
工作温度：150℃
功率：760mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H3D5L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3053L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：676pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H3D5L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C08NT1G-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H3D5L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：188pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5A025ZPTL
工作温度：150℃
功率：760mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C08NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3053L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：676pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C08NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5A025ZPTL
工作温度：150℃
功率：760mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3053L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：676pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5A025ZPTL
工作温度：150℃
功率：760mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C08NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
