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    ST Mosfet场效应管 STD26P3LLH6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD26P3LLH6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD26P3LLH6

    工作温度:175℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 MD7P19130HR3 起订4个装
    NXP Mosfet场效应管 MD7P19130HR3 起订4个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":995,"MI+":1250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MD7P19130HR3

    功率:40W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6502CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1159pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:24A€18A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6024ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6004CNDTL 起订7个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6004CNDTL 起订7个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6004CNDTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD25N10F7 起订6个装
    ST Mosfet场效应管 STD25N10F7 起订6个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD25N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF 起订15个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF 起订15个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD16NF06LT4 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD16NF06LT4 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP102-TL-H 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP102-TL-H 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP102-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:40W

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:18.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP202-TL-H 起订919个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP202-TL-H 起订919个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":2299,"13+":2925,"15+":2599,"19+":18000,"20+":9868,"9999":2373}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP202-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD16NF06T4 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD16NF06T4 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16NF06T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:14.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM090N03CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD25N10F7 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD25N10F7 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD25N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6009ENJTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6009ENJTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6009ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:535mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6024ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03ECP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03ECP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD16NF06LT4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD16NF06LT4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6024ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03ECP ROG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03ECP ROG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6011ENJTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6011ENJTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6011ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:390mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENJTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6024ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP202-TL-H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP202-TL-H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":2299,"13+":2925,"15+":2599,"19+":18000,"20+":9868,"9999":2373}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP202-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD30N6LF6AG 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD30N6LF6AG 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD30N6LF6AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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