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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6003KND3TL1
工作温度：150℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：185pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6003KND3TL1
工作温度：150℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：185pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6003KND3TL1
工作温度：150℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：185pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6003KND3TL1
工作温度：150℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：185pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
栅极电荷：14nC@18V
类型：N沟道
漏源电压：1700V
工作温度：175℃
功率：44W
输入电容：184pF@800V
阈值电压：4V@410µA
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6003KND3TL1
工作温度：150℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：185pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6003KND3TL1
工作温度：150℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：185pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6003KND3TL1
工作温度：150℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：185pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6003KND3TL1
工作温度：150℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：185pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6003KND3TL1
工作温度：150℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：185pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6003KND3TL1
工作温度：150℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：185pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6003KND3TL1
工作温度：150℃
功率：44W
阈值电压：5.5V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：185pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
