品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB60NF06LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:110W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:66nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6NF10T4
工作温度:-65℃~175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:10+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB6670AL
工作温度:-65℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2440pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB40NF10LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:64nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6NF10T4
工作温度:-65℃~175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB40NF10LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:64nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB60NF06LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:110W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:66nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:10+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB6670AL
工作温度:-65℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2440pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB60NF06LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:110W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:66nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDB5060L
工作温度:-65℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDB5060L
工作温度:-65℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDB5060L
工作温度:-65℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDB5060L
工作温度:-65℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB40NF10LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:64nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB40NF10LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:64nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB60NF06LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:110W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:66nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB40NF10LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:64nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB40NF10LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:64nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB40NF10LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:64nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB60NF06LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:110W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:66nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6NF10T4
工作温度:-65℃~175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6NF10T4
工作温度:-65℃~175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB60NF06LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:110W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:66nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB60NF06LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:110W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:66nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB60NF06LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:110W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:66nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB60NF06LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:110W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:66nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDB5060L
工作温度:-65℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDB5060L
工作温度:-65℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB40NF10LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:64nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDB5060L
工作温度:-65℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: