品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8325TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€54W
阈值电压:2.35V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2487pF@10V
连续漏极电流:21A€82A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":15000,"9999":11,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0902NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:2V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:20.7A€73A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0902NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:2V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH114ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@15V
连续漏极电流:18A€35A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.25W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP32314
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1420pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8325TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€54W
阈值电压:2.35V@50µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2487pF@10V
连续漏极电流:21A€82A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0902NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:2V@10mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1951,"14+":6148,"15+":19000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R420CFDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83.3W
阈值电压:4.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@3.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT060N04D3
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1282pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.25W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5690
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ028N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€63W
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:21A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS126DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1402pF@40V
连续漏极电流:12A€45.1A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11NK40ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS126DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1402pF@40V
连续漏极电流:12A€45.1A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380C6
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@320µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC026N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€63W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:04+
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: