销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2302
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2302
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2302
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2302
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2302
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2302
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2302
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2302
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2302
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2302
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
功率:1W
输入电容:405pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
功率:1W
输入电容:405pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
功率:1W
输入电容:405pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4455,"20+":1633}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:872pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:N-Channel
导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:482pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N-Channel
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:218pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: