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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2302CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:587pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订3000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订3000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2302CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:587pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AO3415A 起订33个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3415A 起订33个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3415A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订50个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订50个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2302CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:587pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订750个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订750个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2302CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:587pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:750
    加购:50
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订5个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订5个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2302CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:587pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2302CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:587pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订5个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订5个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2302CX RFG

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:587pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3.9A

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    导通电阻:65mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2302CX RFG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2302CX RFG

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:587pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3.9A

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    导通电阻:65mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    功率:1.5W

    类型:2个P沟道(双)

    漏源电压:20V

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7123DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7123DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7123DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:90nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3729pF@10V

    连续漏极电流:10.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.6mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7110DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7110DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7110DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@21.1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7108DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@22A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH106DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH106DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH106DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:12.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@13.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2120LFWB-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2120LFWB-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2120LFWB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@10V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:95mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    AOS Mosfet场效应管 AO8810
    AOS Mosfet场效应管 AO8810

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO8810

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:20mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN028N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7110DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7110DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7110DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@21.1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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