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    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5044pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5044pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5044pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订2000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订2000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5044pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订2000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订2000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

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    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM018NA03CR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM018NA03CR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM018NA03CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3479pF@15V

    连续漏极电流:185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@29A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5044pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订1个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订1个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5044pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5044pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5044pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5044pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM018NA03CR RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM018NA03CR RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM018NA03CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3479pF@15V

    连续漏极电流:185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@29A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5044pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5044pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5044pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM018NA03CR RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM018NA03CR RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM018NA03CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3479pF@15V

    连续漏极电流:185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@29A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5044pF@30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:81nC@10V

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:170A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1286pF@75V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1286pF@75V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2866pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10180pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR610DP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR610DP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR610DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@100V

    连续漏极电流:35.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR622DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR622DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR622DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1516pF@75V

    连续漏极电流:51.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA90DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10180pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR696DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR696DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@75V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:125V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR696DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR696DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@75V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:125V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR638DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR638DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:204nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    AOS Mosfet场效应管 AOD600A70R
    AOS Mosfet场效应管 AOD600A70R

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD600A70R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@100V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
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