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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8984
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8984
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6884
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8984
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89141
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：398pF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8984
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89141
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：398pF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8984
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89141
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：398pF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6884
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6884
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89141
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：398pF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89141
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：398pF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89141
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：398pF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89141
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：398pF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6884
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
