采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2504N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@20V
连续漏极电流：890mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC6320K6-G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V€125pF@25V
类型：N和P沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2625K4-G
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：7.04nC@1.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1A，0V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC94051YM4-TR
工作温度：-40℃~150℃
功率：568mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@5.5V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3145N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@100mA，0V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC6320K6-G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V€125pF@25V
类型：N和P沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC7920K6-G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52pF@25V€54pF@25V
类型：2个N通道和2个P通道
导通电阻：10Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC8220K6-G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@25V€75pF@25V
类型：2个N通道和2个P通道
导通电阻：6Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC7920K6-G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52pF@25V€54pF@25V
类型：2个N通道和2个P通道
导通电阻：10Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2640LG-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3545N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@150mA，0V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2640LG-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC6320TG-G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V€125pF@25V
类型：N和P沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5322K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@200mA，10V
漏源电压：220V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC6320TG-G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V€125pF@25V
类型：N和P沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN1509K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@200mA，0V
漏源电压：90V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：72mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2510N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3545N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@150mA，0V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：135mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：13mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0104N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.6V@500µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2124K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：134mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@120mA，4.5V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
