品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@11.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@11.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@11.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NC1R5CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:242pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G
输入电容:2587pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@11.7A,10V
功率:329W
包装方式:管件
栅极电荷:62nC@10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
连续漏极电流:38A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R180C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB9N60APBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB21N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:176mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R165CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:3.5V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC40PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG70N60AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:410nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5348pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@35A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG22N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1920pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI60R199CPXKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V@660µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1520pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@9.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:176mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R040CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4354pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R280P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@100V
连续漏极电流:13.8A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R099C6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:3.5V@1.21mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2660pF@100V
连续漏极电流:37.9A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":18500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R299CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":11490,"10+":2950,"11+":18000,"12+":9000,"14+":942,"9999":500,"MI+":13000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF04N60ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":97}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R037CSFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@1.63mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5623pF@400V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK64N60Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1250W
阈值电压:6.5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9930pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@32A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":766}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP170N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@380V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: