品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":895,"22+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF5P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@1.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1812
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6216PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@1.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT8P50
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1812
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6216PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@1.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2003}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5P20TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€45W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@1.85A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5P20TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@1.85A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT50P10
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4350pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP45H4D9HJ3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:547pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:4.9Ω@1.05A,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2003}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5P20TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€45W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@1.85A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA9P25
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:P沟道
导通电阻:620mΩ@5.25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF5P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@1.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP45H4D9HJ3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:547pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:4.9Ω@1.05A,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP45H4D9HJ3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:547pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:4.9Ω@1.05A,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1812
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6216PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@1.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":895,"22+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF5P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@1.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP45H4D9HJ3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:547pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:4.9Ω@1.05A,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF5P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@1.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
输入电容:4200pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:24A
功率:300W
栅极电荷:150nC@10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT24P20
输入电容:4200pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@500mA,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:24A
功率:300W
栅极电荷:150nC@10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: