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    行业应用: 工业
    包装方式: 管件
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 200A
    当前匹配商品:70+
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    IXYS Mosfet场效应管 IXTK200N10P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK200N10P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTK200N10P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:800W

    阈值电压:5V@500µA

    栅极电荷:240nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7600pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ200N10T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ200N10T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ200N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:550W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9400pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK200N10P 起订25个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK200N10P 起订25个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTK200N10P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:800W

    阈值电压:5V@500µA

    栅极电荷:240nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7600pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18510KCS 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18510KCS 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18510KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:75nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:11400pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18510KCS 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18510KCS 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18510KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:75nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:11400pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS 起订25个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS 起订25个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18510KCS 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18510KCS 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18510KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:75nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:11400pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KCS 起订50个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KCS 起订50个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18542KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18510KCS 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18510KCS 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18510KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:75nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:11400pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK200N10P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK200N10P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTK200N10P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:800W

    阈值电压:5V@500µA

    栅极电荷:240nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7600pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18536KCS 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18536KCS 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18536KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11430pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18510KCS 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18510KCS 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18510KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:75nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:11400pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18510KCS 起订50个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18510KCS 起订50个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18510KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:75nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:11400pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK200N10P 起订3个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK200N10P 起订3个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTK200N10P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:800W

    阈值电压:5V@500µA

    栅极电荷:240nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7600pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA200N055T2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA200N055T2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA200N055T2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:360W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:109nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6800pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ200N10T 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ200N10T 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ200N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:550W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9400pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KCS 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KCS 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18542KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18510KCS 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18510KCS 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18510KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:75nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:11400pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTN200N10T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTN200N10T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTN200N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:550W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9400pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KCS 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KCS 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18542KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK200N10P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK200N10P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTK200N10P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:800W

    阈值电压:5V@500µA

    栅极电荷:240nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7600pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18510KCS 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18510KCS 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18510KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:75nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:11400pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KCS 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KCS 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18542KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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