采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
类型：N沟道
阈值电压：5V@100µA
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
栅极电荷：22nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：635pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
