生产批次:{"04+":6000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:松下(Panasonic)
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):35 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:80MHz
功率:150mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"04+":6000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:松下(Panasonic)
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):35 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:80MHz
功率:150mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:松下(Panasonic)
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):35 @ 5mA,10V
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输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:80MHz
功率:150mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:松下(Panasonic)
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
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直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
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输入电阻:10千欧
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晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
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品牌:松下(Panasonic)
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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功率:150mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:松下(Panasonic)
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
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电阻比:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):35 @ 5mA,10V
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晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
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品牌:松下(Panasonic)
分类:数字晶体管
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电阻比:10千欧
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集电集截止电流(Icbo):500nA
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电阻比:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):35 @ 5mA,10V
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集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:80MHz
功率:150mW
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分类:数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
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直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
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集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:80MHz
功率:150mW
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分类:数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:80MHz
功率:150mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:松下(Panasonic)
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):35 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
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集射极击穿电压(Vceo):50V
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
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直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
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集射极击穿电压(Vceo):50V
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晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
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