采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：22kΩ
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
功率：360mW
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：22千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
电阻比：22千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V
特征频率：230MHz
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
功率：480mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
特征频率：230MHz
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
功率：480mW
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：62307}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
特征频率：230MHz
功率：250mW
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：1µA
特征频率：230MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
输入电阻：10千欧
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
功率：480mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：10千欧
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，5V
输入电阻：47千欧
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
特征频率：230MHz
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：22kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
功率：200mW
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
特征频率：230MHz
功率：250mW
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：10kΩ
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：1µA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
特征频率：230MHz
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
特征频率：230MHz
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
功率：480mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：22kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
功率：200mW
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，5V
输入电阻：47千欧
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
特征频率：230MHz
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
功率：480mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
输入电阻：4.7千欧
特征频率：230MHz
包装方式：卷带（TR）
功率：480mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：22kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
功率：200mW
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：22kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
功率：360mW
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，5V
输入电阻：47千欧
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
特征频率：230MHz
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
特征频率：230MHz
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：10kΩ
功率：200mW
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
输入电阻：4.7千欧
特征频率：230MHz
包装方式：卷带（TR）
功率：480mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：40@5mA，5V
特征频率：230MHz
功率：250mW
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：47kΩ
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
特征频率：230MHz
功率：250mW
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：10kΩ
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：1µA
特征频率：230MHz
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
