采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：22kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
功率：100mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
功率：100mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"18+"：63825，"MI+"：15000}
输入电阻：10kOhms
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
电阻比：10kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
ECCN：EAR99
晶体管类型：PNP - 预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
功率：100mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
输入电阻：22kΩ
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
输入电阻：22kΩ
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
功率：100mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：22kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"08+"：30000}
包装方式：散装
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
特征频率：200MHz
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电阻比：47千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
功率：200mW
输入电阻：47kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
电阻比：47千欧
输入电阻：4.7千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
功率：200mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"13+"：150000}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@5mA，5V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
集电集截止电流(Icbo)：100nA
功率：200mW
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
输入电阻：10千欧
集电集截止电流(Icbo)：500nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：10千欧
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电阻比：47千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：47千欧
电阻比：47千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
功率：200mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
功率：100mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
功率：100mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：47千欧
电阻比：47千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
功率：200mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
功率：200mW
输入电阻：47kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
功率：100mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
功率：200mW
输入电阻：47kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：200MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"18+"：93855}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：22kΩ
功率：200mW
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：100mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
