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销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
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晶体管类型：2个PNP-预偏置
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
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晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：80V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
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分类：数字晶体管
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
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分类：数字晶体管
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
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分类：数字晶体管
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
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分类：数字晶体管
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
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分类：数字晶体管
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：350mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
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