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    26 nC @ 10 V 42nC@10V 18 nC @ 10 V 104nC@10V 8.9nC@10V 21 nC @ 5 V 33nC@10V 14.5nC@10V 17nC@5V 26nC@10V 39nC@10V 90nC@10V 19.5nC@10V 12nC@10V 38nC@10V 24nC@5V 13nC@10V 208 nC @ 5 V 150 nC @ 10 V 22nC@10V 130nC@10V 16.1nC@10V 8.1nC@5V 125nC@10V 30nC@10V 40nC@10V 204nC@10V 8.5nC@10V 108nC@10V 8.3nC@10V 7nC@10V 270nC@10V 9nC@10V 8.7nC@10V 154nC@10V 16nC@5V 180 nC @ 10 V 5.9nC@5V 65nC@10V 130nC 65nC 6nC@5V 78 nC @ 10 V 9nC@5V 23nC@10V 103nC@10V 37nC@7.5V 18nC@10V 90 nC @ 10 V 150nC@10V 22nC 76nC@10V 203nC@10V 91nC@10V 98nC@10V 10.8nC@10V 145nC@10V 56 nC @ 5 V 87nC@10V 23 nC @ 7.5 V 204 nC @ 10 V 84nC@10V 30.7nC@10V 49 nC @ 10 V 5.3nC@5V 58nC@10V 73nC@10V 8nC@10V 152nC@10V 80nC@10V 67nC@10V 5.7nC@10V 81nC@10V 11nC@10V 135nC@10V 75nC@10V 225nC@10V 140nC@10V 70nC 15nC@10V 8.2nC@10V 255 nC @ 10 V 378 nC @ 10 V 123nC@10V 85nC@10V 185 nC @ 10 V 41nC@10V 255nC@10V 53nC@10V 51nC@10V 15nC@5V 25nC@10V 77nC@10V 160nC@10V 66nC@10V 6.7nC@10V 66nC@5V 32.2nC@10V 220nC@10V 180nC@10V 11nC@5V 56nC@10V 230nC@10V 3.9nC@10V 110 nC @ 10 V 14nC@10V 20nC@10V 11.2nC@10V 27nC@10V 44nC@10V 102nC@10V 32nC@10V 234nC@10V 240nC@10V 5.6nC@10V 60nC@10V 177nC@10V 29nC 29 nC @ 10 V 21nC@10V 14nC@5V 14 nC @ 10 V 21nC@5V 36nC@10V 46nC@10V 250nC@10V 86nC@10V 43nC 1.3nC@5V 63nC@10V 55nC@10V 70nC@10V 96nC@10V 127nC@10V 87nC 49nC@10V 78nC@10V 35nC@10V 45nC@10V 107nC@10V 740 nC @ 10 V 3.82nC@10V 190nC@10V 900pC@10V 29nC@10V 103 nC @ 10 V 9.3nC@10V 43nC@10V 107 nC @ 10 V 16nC@10V 24nC@10V 234nC 20nC 48nC@10V 54nC@10V 110nC@10V 185nC@10V 205nC@10V 14nC@7.5V 11.6nC@10V 5.2nC@5V 6.5nC@10V 162nC@10V 241nC@10V 99nC@10V 35nC@5V 129nC@10V 380nC@10V 2.9nC@5V 56nC@5V 4.3nC@5V 60nC 500nC@10V 52nC@-10V 244nC@10V 0.9nC@10V 375nC@10V 72nC@5V 16nC@7.5V 265nC@10V 10.6nC@5V 28nC@7.5V 23nC@7.5V 17.7nC@5V 208nC@5V 186nC@Vgs=10V 378nC@10V
    行业应用: 工业
    漏源电压: 200V
    当前匹配商品:6400+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4620TRLPBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4620TRLPBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4620TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:144W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@50V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:77.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640PBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640PBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF640PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ454EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL120GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@250mA,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB30NF20 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB30NF20 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB30NF20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1597pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002 起订2000个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002 起订2000个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN0620N3-G-P002

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT111N20NFDATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT111N20NFDATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT111N20NFDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@267µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@100V

    连续漏极电流:96A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@96A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TC6320K6-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 TC6320K6-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TC6320K6-G

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@25V€125pF@25V

    类型:N和P沟道

    导通电阻:7Ω@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5801TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5801TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF5801TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@360mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640STRRPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640STRRPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF640STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€130W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP32P20T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP32P20T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP32P20T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14500pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@16A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH6400ENH,L1Q 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH6400ENH,L1Q 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH6400ENH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€57W

    阈值电压:4V@300µA

    栅极电荷:11.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7172ADP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7172ADP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7172ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~125℃

    阈值电压:3.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@100V

    连续漏极电流:5.3A€17.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9620STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9620STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9620STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RCX700N20 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RCX700N20 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RCX700N20

    工作温度:150℃

    功率:2.23W€40W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:6900pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:42.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL210TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL210TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL210TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:960mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@580mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT24P20 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT24P20 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT24P20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4200pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2002A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:733pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP52N20 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP52N20 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP52N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@26A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF630PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF630PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF630PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP149H6327XTSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP149H6327XTSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP149H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@400µA

    栅极电荷:14nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:660mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@660mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK170N20T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK170N20T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFK170N20T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1150W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:265nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:19600pF@25V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@60A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF630NPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF630NPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF630NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:82W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:575pF@25V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4227PBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4227PBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI4227PBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@17A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9620STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9620STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9620STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLI630GPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLI630GPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLI630GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@3.7A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC22DN20NS3GATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC22DN20NS3GATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@13µA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:225mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N20NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N20NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@30µA

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@100V

    连续漏极电流:15.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@7.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP320N20N3GXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP320N20N3GXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP320N20N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@34A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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