采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4122DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@20V
连续漏极电流：27.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3007pF@20V
连续漏极电流：16.1A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3007pF@20V
连续漏极电流：16.1A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC90N04-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2420pF@20V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3007pF@20V
连续漏极电流：16.1A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1720，"23+"：38019，"24+"：5190}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L1R5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3007pF@20V
连续漏极电流：16.1A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4122DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@20V
连续漏极电流：27.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3007pF@20V
连续漏极电流：16.1A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4122DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@20V
连续漏极电流：27.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3007pF@20V
连续漏极电流：16.1A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL325N4LF8AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7657pF@25V
连续漏极电流：373A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL325N4LF8AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7657pF@25V
连续漏极电流：373A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL325N4LF8AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7657pF@25V
连续漏极电流：373A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3007pF@20V
连续漏极电流：16.1A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L1R5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1720，"23+"：38019，"24+"：5190}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L1R5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4122DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@20V
连续漏极电流：27.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L1R5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4122DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@20V
连续漏极电流：27.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4122DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@20V
连续漏极电流：27.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4122DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@20V
连续漏极电流：27.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4122DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@20V
连续漏极电流：27.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3007pF@20V
连续漏极电流：16.1A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3007pF@20V
连续漏极电流：16.1A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
