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    行业应用: 工业
    漏源电压: 40V
    栅极电荷: 64nC@10V
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04LM6ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04LM6ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@20V

    连续漏极电流:37A€238A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3855pF@25V

    连续漏极电流:266A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04LM6ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04LM6ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@20V

    连续漏极电流:37A€238A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8453LZ-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8453LZ-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:118W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3515pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04NM6ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04NM6ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:2.8V@747µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@20V

    连续漏极电流:36A€232A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC035N04LSGATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC035N04LSGATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC035N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@36µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@20V

    连续漏极电流:21A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC035N04LSGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC035N04LSGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC035N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@20V

    连续漏极电流:21A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KCS 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KCS 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTTT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTTT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:110A€194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ040N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@20V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KCS 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KCS 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8333L 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8333L 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8333L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4545pF@20V

    连续漏极电流:22A€76A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10,8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04LM6ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04LM6ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@20V

    连续漏极电流:37A€238A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ040N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@36µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@20V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3855pF@25V

    连续漏极电流:266A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8453LZ 起订10个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8453LZ 起订10个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8453LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€65W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    输入电容:3515pF@20V

    连续漏极电流:16.4A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04NM6ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04NM6ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:2.8V@747µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@20V

    连续漏极电流:36A€232A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KCS 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KCS 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ040N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@36µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@20V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTTT 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTTT 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:110A€194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04LM6ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04LM6ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@20V

    连续漏极电流:37A€238A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ040N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@36µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@20V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04NM6ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04NM6ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:2.8V@747µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@20V

    连续漏极电流:36A€232A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04NM6ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04NM6ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:2.8V@747µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@20V

    连续漏极电流:36A€232A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX 起订200个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX 起订200个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10,8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ040N04LSGATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":2253}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ040N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@20V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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